自参考读出放大器电路和读出方法

摘要

公开了一种用于闪存装置的读出放大器电路。该读出放大器包括：第一晶体管，由经由已选择位线施加的第一电压控制；和第二晶体管，由经由未选择位线施加的第二电压控制。该第二晶体管具有比第一晶体管的电流驱动能力低的电流驱动能力。

主权项

一种读出放大器电路，包括：第一晶体管，由经由已选择位线施加的第一电压控制；第二晶体管，由经由未选择位线施加的第二电压控制，该第二晶体管具有比第一晶体管的电流驱动能力低的电流驱动能力；第一PMOS晶体管，具有与所施加的电源电压相连的源极、与该第一晶体管的漏极耦接的漏极、和与第一PMOS晶体管的漏极耦接的栅极；以及第二PMOS晶体管，具有与所施加的电源电压相连的源极、与该第二晶体管的漏极耦接的漏极、和与第一PMOS晶体管的漏极耦接的栅极，其中所述第一和第二晶体管的漏极形成该读出放大器输出的差分信号的相应输出节点，并且其中所述已选择位线从闪存中的多个非易失性存储单元中选择非易失性存储单元。