| 摘要 |
Es wird ein photoelektrisches Umwandlungselement geschaffen, das eine aus amorphem Silizium gebildete n-i-p-Struktur aufweist und das hinsichtlich des Wirkungsgrads von Energieumwandlung durch eine Struktur verbessert ist, in der eine a-Si-Schicht vom n+-Typ mit einer transparenten Elektrode in Kontakt steht, die durch eine ZnO-Schicht vom n+-Typ gebildet wird. Dies ermöglicht es, photoelektrische Umwandlungselemente und ein Solarzellenmodul oder -anlage mit großer Fläche und hoher Leistung zu realisieren, wobei der Einfluss auf die global vorhandenen Ressourcen minimiert wird. |
