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Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelementprüfverfahren, ein Halbleiterbauelementherstellungsverfahren und auf eine zugehörige Prüfvorrichtung sowie ein damit ausgerüstetes Prüfsystem. Ein Halbleiterbauelementprüfverfahren der Erfindung beinhaltet die Schritte des Kontaktierens einer Mehrzahl von auf einer Sondenkarte (30) angeordneten Sondennadeln mit entsprechenden Kontaktstellen einer Mehrzahl von auf einem Wafer (W) ausgebildeten Halbleiterbauelementen, des Verbindens von jedem einer Mehrzahl von auf einer Prüfvorrichtung angeordneten elektrischen Prüfverbindungselementen (22) mit einem ersten Satz von auf einer Sondenkarte angeordneten elektrischen Sondenkartenverbindungselementen, des Prüfens einer ersten Gruppe von Halbleiterbauelementen, die mit einem ersten Satz von Sondennadeln verbunden sind, die mit dem ersten Satz von elektrischen Sondenkartenverbindungselementen in elektrischer Verbindung stehen, des Entkoppelns der Mehrzahl von elektrischen Prüfverbindungselementen von dem ersten Satz von elektrischen Sondenkartenverbindungselementen und des Verbindens derselben mit dem zweiten Satz von elektrischen Sondenkartenverbindungselementen, während die Mehrzahl von Sondennadeln mit den entsprechenden Kontaktstellen der Halbleiterbauelemente in Kontakt bleibt, des Prüfens einer zweiten Gruppe von Halbleiterbauelementen, die mit einem zweiten Satz von Sondennadeln verbunden sind, die mit dem zweiten Satz von elektrischen Sondenkartenverbindungselementen in elektrischer Verbindung stehen, und des Entkoppelns des Wafers von der Mehrzahl von Sondennadeln. Verwendung in der Halbleiterbauelementtechnologie.
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