制作氮化物半导体发光器件的方法

摘要

本发明提供了一种制作氮化物半导体发光器件的方法，该半导体发光器件包括在其顶面上形成有延伸成条形的槽和脊的氮化物半导体衬底，以及在氮化物半导体衬底上形成的由多个氮化物半导体层构成的氮化物半导体生长层。该方法包括一个步骤，即通过在氮化物半导体衬底上形成氮化物半导体生长层，至少在槽和脊之一上形成一个大于或等于10μm宽的平坦区，使得在槽上形成的氮化物半导体生长层的高度小于在脊上形成的氮化物半导体生长层的高度。

主权项

一种制作氮化物半导体发光器件的方法，该器件包括：氮化物半导体衬底，在它的顶面上形成有槽和脊并以条形延伸；以及氮化物半导体生长层，它具有形成在氮化物半导体衬底上的多个氮化物半导体层，该方法包括：第一步，通过在氮化物半导体衬底上形成氮化物半导体生长层，至少在槽和脊之一上形成一个大于或等于10μm宽的平坦区，从而使槽上的氮化物半导体生长层的高度小于脊上的氮化物半导体生长层的高度；第二步，在形成于第一步的平坦区中的氮化物半导体生长层的表面上，形成一个抬高的脊条形部分；以及第三步，沿着平行于脊条形部分延伸的分割线，至少沿着槽和脊之一进行分割，其中在氮化物半导体衬底上形成的槽的宽度大于或等于50μm但又小于或等于1200μm，在氮化物半导体衬底上形成的槽的深度大于或等于3μm但又小于或等于20μm，以及脊的宽度大于或等于70μm但又小于或等于1200μm。