Verfahren zum Füllen blinder Durchkontaktierungen und zum Bilden einer Elektrode

摘要

Verfahren zum Füllen blinder Durchkontaktierungen mit metallischem Kupfer, umfassend das Ätzen eines Substrats, so dass blinde Durchkontaktierungen mit einer Innenwand entstehen, das Bilden einer Keimschicht zum Plattieren der Innenwand der blinden Durchkontaktierungen und das Durchführen einer elektrischen Verkupferungsbehandlung mit der Keimschicht als eine Elektrode, in einem Kupfersulfat-Elektrolyt, so dass die blinden Durchkontaktierungen mit metallischem Kupfer gefüllt werden, wobei der Kupfersulfat-Elektrolyt die nachstehenden Bestandteile (a) und (b) enthält: (a) einen Polyether, der wenigstens fünf Ether-Sauerstoffatome in einem Molekül enthält; und (b) eine oder mehrere der durch die nachstehenden Formeln (I), (V) bis (X) gezeigten Substanzen: R1-S-(CH2O)n-R2-SO3M(I)worin R1 ein Wasserstoffatom, -(S)n-(CH2O)n-R2-SO3M oder -CSn-(CH2O)n-R2-SO3M ist, R2 für eine Alkylengruppe mit 3 bis 8 Kohlenstoffatomen steht, M für ein Wasserstoffatom oder ein alkalisches Metall steht und n gleich 0 oder 1 ist, M-SO3-(CH2)a-S-(CH2)b-SO3-M(V)worin a = 3 bis 8, b = 3 bis 8, M für Wasserstoff oder ein alkalisches Metallelement steht;...