Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips und derartiger Halbleiterchip

摘要

Es ist ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips (10) mit einem Halbleiterschichtenstapel (1) basierend auf dem Materialsystem AlInGaP angegeben, bei dem ein Aufwachssubstrat (2) bereitgestellt wird, das eine Siliziumoberfläche aufweist. Auf dem Aufwachssubstrat (2) wird ein kompressiv relaxierter Bufferschichtenstapel (3) aufgebracht. Auf dem Bufferschichtenstapel (3) wird der Halbleiterschichtenstapel (1) metamorph epitaktisch aufgewachsen. Der Halbleiterschichtenstapel (1) weist eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht auf. Weiter ist ein Halbleiterchip (10) angegeben, der mittels eines derartigen Verfahrens hergestellt ist.