| 摘要 |
<p>Verfahren zum Aufwachsen eines Siliziumcarbideinkristalls auf einem Siliziumcarbideinkristallsubstrat durch in Kontakt Bringen des Substrats mit einer C enthaltenden Lösung, die durch ein Heizen und Schmelzen von Si in einem Graphittiegel und Lösen von C aus dem Graphittiegel in eine Si enthaltende Schmelze zubereitet wird, gekennzeichnet durch: Zubereiten der C enthaltenden Lösung durch Lösen von C in die Schmelze, die Cr und X enthält, wobei X aus zumindest einem der Elemente Ce und Nd besteht, sodass ein Anteil von Cr in einer Gesamtzusammensetzung der Schmelze in einem Bereich von 30 bis 70 at-% ist und ein Anteil von X in der Gesamtzusammensetzung der Schmelze in dem Fall, in dem X Ce ist, in einem Bereich von 0,5 at-% bis 20 at-% ist, oder in dem Fall, in dem X Nd ist, in einem Bereich von 1 at-% bis 25 at-% ist; und Aufwachsen des Siliziumcarbideinkristalls aus der Lösung.</p> |
