发明名称 Leuchtdiode und Verfahren zum Herstellen derselben
摘要 Die hierin offenbarte Licht-emittierende Diode weist auf: ein Substrat (200), das an einer seiner Oberfläche mit Vorsprüngen (200a) versehen ist, eine Pufferschicht (210, 220), die über die gesamte Oberfläche des Substrats (200) gebildet ist, eine über der Pufferschicht (210, 220) gebildete erste Halbleiterschicht (230), eine auf einem Bereich der ersten Halbleiterschicht (230) gebildete aktive Schicht (240), eine über der aktiven Schicht (240) gebildete zweite Halbleiterschicht (250), ein auf einem anderen Bereich der ersten Halbleiterschicht (230), außerhalb der Bereichs, in dem die aktive Schicht (240) gebildet ist, gebildetes erstes Elektroden-Pad (280) und ein auf der zweiten Halbleiterschicht (250) gebildetes zweites Elektroden-Pad (270). Jeder Vorsprung (200a) weist eine gegenüber der Oberfläche des Substrats (200) in einem ersten Winkel &thetas;1 geneigte Seitenfläche und eine gegenüber der Oberfläche des Substrats (200) in einem von dem ersten Winkel &thetas;1 verschiedenen zweiten Winkel &thetas;2 geneigte andere Seitenfläche auf.
申请公布号 DE102011055715(A1) 申请公布日期 2012.05.31
申请号 DE20111055715 申请日期 2011.11.25
申请人 LG DISPLAY CO., LTD. 发明人 SON, SU-HYOUNG
分类号 H01L33/14 主分类号 H01L33/14
代理机构 代理人
主权项
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