| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Ionenimplantationsvorrichtung und ein Verfahren zur Ionenimplantation von wenigstens einem Substrat, wobei in der Ionenimplantationsvorrichtung durch eine Plasmaquelle in einem Entladungsraum ein Plasma mit einer Ionendichte von wenigstens 1010 cm–3 erzeugt wird. Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Ionenimplantation zur Verfügung zu stellen, welche eine selektive Ionenimplantation von Substraten ermöglichen, ohne dass hierbei eine Maske stark thermisch belastet wird oder einer hohen Zerstäubung unterliegt. Die Aufgabe wird durch eine Vorrichtung und ein Verfahren der oben genannten Gattung gelöst, bei welchen der Entladungsraum in Richtung des zu implantierenden Substrates durch eine voneinander beabstandete Durchgangsöffnungen aufweisende, sich auf Plasmapotenzial oder einem Potenzial von maximal ±100 V befindliche plasmabegrenzende Wand begrenzt wird und der Druck im Entladungsraum höher als der Druck in dem Raum ist, in dem sich das Substrat in der Ionenimplantationsvorrichtung befindet, wobei das Substrat auf einer Substratauflage mit seiner Substratoberfläche gegenüber der plasmabegrenzenden Wand aufliegt, und wobei das Substrat und/oder die Substratauflage als Substratelektrode genutzt wird, welche auf ein derart hohes negatives Potenzial gegenüber dem Plasma gelegt wird, dass Ionen aus dem Plasma in Richtung des Substrates beschleunigt und in das Substrat implantiert werden. |
