| 发明名称 | 包括铝-硅氮化物钝化的用于形成III-V半导体结构的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于制作半导体结构的方法，包括把半导体层形成在基底上和把铝-硅氮化物层形成在半导体层上。当半导体层特别包括诸如第III族元素氮化物半导体材料或氮化镓半导体材料那样的III-V半导体材料时，与氮化硅材料相比较，铝-硅氮化物材料提供优越的钝化。 | ||
| 申请公布号 | CN102484067A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201080037985.5 | 申请日期 | 2010.06.28 |
| 申请人 | 康奈尔大学 | 发明人 | J·R·席利;R·布朗 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人 | 杨颖;张一军 |
| 主权项 | 一种用于制作半导体结构的方法，包括：在基底上形成半导体层；以及在至少一部分的半导体层上形成钝化层，其中所述钝化层包括钝化材料，该钝化材料具有约4.5到约6eV的带隙，在约1到约100GHz的频率下，该钝化材料具有约6 x 10‑11F/m到约8 x 10‑11F/m的介电常数。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||