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发明名称 NON-VOLATILE MEMORY AND METHOD WITH REDUCED BIT LINE CROSSTALK ERRORS
摘要
申请公布号 EP1543521(B1) 申请公布日期 2012.05.30
申请号 EP20030770415 申请日期 2003.09.18
申请人 SANDISK TECHNOLOGIES INC. 发明人 CERNEA, RAUL-ADRIAN;LI, YAN
分类号 G11C7/06;G11C11/56;G11C16/26 主分类号 G11C7/06
代理机构 代理人
主权项
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