半导体元件的制造方法

摘要

本发明为一种半导体元件的制造方法，将半导体元件所成型的层叠式晶片，在第一表面通过蚀刻加工成型一道或一道以上适当深度的隔离道，再针对各隔离道进行光、电性能的测试，且检测后可用的晶片，反向以第一表面贴附位于工作平台上的胶膜，而晶片另一侧朝上的第二表面，予以涂布受光性的水溶性介质，则由工作平台底部以检测器向上进行检测晶片所预设的各隔离道，并配合低功率雷射光源(Pico second laser)，经由介质针对各隔离道进行切割加工后，将晶片位于第二表面的介质除去，通过隔离道进行晶片崩裂，而成型的多个晶粒再转向以第一表面朝上放置，进行晶粒之外观检测，供进行后续加工制程。

主权项

一种半导体元件的制造方法，其特征在于，其步骤如下：(a)将半导体元件的晶片由第一表面进行蚀刻预设深度，以成型一道以上的隔离道；(b)针对晶片上一道以上的隔离道进行光、电性能测试；(c)再将检测后能够使用的晶片以第一表面反向贴附位于工作平台上的胶膜；(d)晶片反向后的另一侧朝上的第二表面，即进行涂布受光性的介质；(e)通过检测器由工作平台底部，检测晶片的第一表面预设成型一道以上的隔离道，并配合低功率雷射光源，经由介质针对一道以上的隔离道进行切割加工；(f)将晶片的第二表面涂布的介质予以除去，并针对一道或一道以上隔离道进行晶片崩裂及分离，而成型多个晶粒成品；(g)将成型后的多个晶粒成品再转向，以第一表面朝上放置，并检测各晶粒成品的外观，进行晶粒成品的筛选；(h)多个晶粒成品进行后续加工制程。