层施用的工艺

摘要

本发明涉及在大气压或低于其30％的压力下，通过气相化学沉积工艺，在金属、半金属或其化合物以及由这些材料所制成的元件或组合件的表面上施用由陶瓷或有机陶瓷材料所组成的层的工艺，该沉积期间该工艺的温度在500℃以下。在该工艺中，在该工艺中，用于从气相进行层形成的反应活性化学物质是通过催化气相反应由大量前体形成的。前述的催化气相反应和沉积工艺在共同气室中进行。在一次操作中进行沉积工艺，其中反应活性化学物质和前体均匀地回混在共同气室中，并且作为气室容积与气体通量之间比率的平均滞留时间与涂层工艺的催化气相反应的速率决定步骤相匹配，以获得每小时从10nm到2000nm的沉积速率。

主权项

在大气压或低于其30％的压力下，通过气相化学沉积工艺，在金属、半金属或其化合物以及由这些材料所制成的元件或组合件的表面上施用由陶瓷或有机陶瓷材料所组成的层的工艺，沉积期间该工艺的温度在500℃以下，其特征在于：‑用于从气相进行层形成的反应活性化学物质是通过催化气相反应从大量前体形成的；‑在共同的气室中进行前述催化气相反应和沉积工艺；‑在一次操作中进行沉积工艺；‑在共同的气室中均匀地回混反应活性化学物质和前体；和‑作为气室容积与气体通量之间比率的平均滞留时间与涂层工艺的催化气相反应的速率决定步骤相匹配，以获得每小时从10nm到2000nm的沉积速率。