发明名称 半导体构造、半导体构造形成方法、导光导管和光信号传播组合件
摘要 本发明包含其中纳入有稀土元素的光信号导管。所述光信号导管可(例如)含有纳入介电材料基质内的稀土元素。举例来说,铒或铈可位于散布在光信号导管的介电材料各处的硅纳米晶体内。所述介电材料可界定用于光信号的路径,且可包裹在护套中,所述护套有助于保持所述光信号沿着所述路径。所述护套可包含任何合适的屏障材料,且可(例如)含有一种或一种以上金属材料。本发明还包含形成光信号导管的方法,其中这些方法中的一些方法是其中将所述光信号导管形成为半导体构造的一部分的方法。
申请公布号 CN101365971B 申请公布日期 2012.05.30
申请号 CN200680051190.3 申请日期 2006.12.15
申请人 美光科技公司 发明人 钱德拉·穆利
分类号 G02B6/10(2006.01)I;G02B6/42(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01S3/063(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I 主分类号 G02B6/10(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 刘国伟
主权项 一种光引导导管,其包括:内部材料,光迁移穿过所述内部材料;护套,其围绕所述内部材料且经配置以大致使光沿着由所述内部材料界定的路径迁移;其中所述内部材料包括其中散布有一种或多种稀土元素的基质;在所述基质的至少一部分内所述一种或多种稀土元素的总浓度为至少1×1016个原子/cm3;且其中所述内部材料包括:第一区段,其含有总浓度为至少1×1016个原子/cm3的所述一种或多种稀土元素;以及第二区段,其沿着光沿着所述内部材料的所述路径位于所述第一区段的下游,其中所述第二区段含有总浓度小于1×1015个原子/cm3的所述一种或多种稀土元素。
地址 美国爱达荷州