| 发明名称 | 等离体子增强型电磁辐射发射器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的各个实施例涉及表面等离体子增强型电磁辐射发射器件并且涉及制造这些器件的方法。在本发明的一个实施例中，一种电磁辐射发射器件(100)包括多层核(106)、金属器件层(108)以及衬底(104)。多层核(106)具有内层(110)和外层(112)，其中该外层被配置为围绕该内层的至少一部分。金属器件层(108)被配置成围绕该外层的至少一部分。衬底(104)具有与内层(110)电通信的底部传导层(118)以及与金属器件层(108)电通信的顶部传导层(122)以使得当在底部传导层和顶部传导层之间施加适当的电压时所暴露的部分发射表面等离体子增强的电磁辐射。 | ||
| 申请公布号 | CN101765764B | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN200880100629.6 | 申请日期 | 2008.07.16 |
| 申请人 | 惠普开发有限公司 | 发明人 | D·法塔尔;N·J·奎托里亚诺;H·曹;M·菲奥伦蒂诺;T·I·卡明斯 |
| 分类号 | G01N21/27(2006.01)I | 主分类号 | G01N21/27(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李娜;王洪斌 |
| 主权项 | 一种电磁辐射发射器件(100)，包括：多层核(106)，所述多层核具有内层(110)和外层(112)，其中该外层被配置为围绕该内层的至少一部分；金属器件层(108)，其被配置成围绕该外层的至少一部分；以及衬底(104)，所述衬底具有与所述内层电通信的底部传导层(118)以及与所述金属器件层电通信的顶部传导层(122)以使得当在所述底部传导层和所述顶部传导层之间施加适当的电压时所述内层(110)、外层(112)和金属器件层(108)的暴露的部分发射表面等离体子增强的电磁辐射，其中该内层(110)是p型半导体而外层(112)是n型半导体；或者该内层(110)是n型半导体而外层(112)是p型半导体。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||