| 发明名称 |
高电荷离子双束激光发射装置 |
| 摘要 |
高电荷离子双束激光发射装置包括低速面电子流横向来回碰撞单电荷离子束注入段(A)，较高速面电子流横向来回碰撞高电荷离子电离环(B)，和高速面电子流横向来回碰撞高电荷离子激发环(C)。 |
| 申请公布号 |
CN102484347A |
申请公布日期 |
2012.05.30 |
| 申请号 |
CN201080002301.8 |
申请日期 |
2010.06.10 |
| 申请人 |
姜仁滨 |
发明人 |
姜仁滨;王宛珏;王晓东 |
| 分类号 |
H01S3/0955(2006.01)I;H01S3/0959(2006.01)I;H01S3/097(2006.01)I |
主分类号 |
H01S3/0955(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
PCT国内申请，权利要求书已公开。 |
| 地址 |
730070 中国甘肃省兰州市安宁区安宁西路88号605信箱 |
