发明名称 决定纳米线最佳直径
摘要 本发明揭示优化纳米线光电二极管光传感器的直径的方法。该方法包含:比较具有预定直径的纳米线光电二极管像素的回应与标准光谱回应曲线;及决定光电二极管像素的光谱回应与标准光谱回应曲线之间的差异。亦包含具有优化纳米线直径的纳米线光电二极管光传感器及场景重建的方法。
申请公布号 CN102483323A 申请公布日期 2012.05.30
申请号 CN201080032638.3 申请日期 2010.05.21
申请人 立那工业股份有限公司 发明人 穆尼布·沃贝尔
分类号 G01B11/14(2006.01)I 主分类号 G01B11/14(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 张世俊
主权项 一种决定纳米线装置的纳米线直径的方法,其包括:提供包括至少一第一像素及一第二像素的第一纳米线装置,其中该第一像素包括一第一纳米线,该第一纳米线包括预定材料及预定直径,该第一像素经设置以检测第一预定色彩及该第一预定色彩的第一补色,且该第二像素包括一个第二纳米线,该第二纳米线包括第二预定材料及第二预定直径,该第二像素经设置以检测第二预定色彩及该第二预定色彩的第二补色;决定该第一纳米线的该第一预定色彩的第一预定色彩光谱回应与一个或多个标准光谱回应曲线之间的第一误差差异;决定该第一纳米线的该第一补色的第一补色光谱回应与一个或多个标准光谱回应曲线之间的第二误差差异;决定该第二纳米线的该第二预定色彩的第二预定色彩光谱回应与该一个或多个标准光谱回应曲线之间的第三误差差异;及决定该第二纳米线的该第二补色的第二补色光谱回应与该一个或多个标准光谱回应曲线之间的第四误差差异;及自该第一、第二、第三及第四误差差异决定总误差差异。
地址 美国马萨诸塞州
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