| 发明名称 | 氮化物半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体装置及其制造方法。氮化物半导体装置具有包括在基板(101)上依次形成的第一氮化物半导体层(104)及第二氮化物半导体层(105)的半导体层层叠体(103)。在半导体层层叠体(103)上选择性形成p型的第三氮化物半导体层(108)，在第三氮化物半导体层(108)上形成有栅电极(109)。在半导体层层叠体(103)上的第三氮化物半导体层(108)的两侧分别形成有第一欧姆电极(106)及第二欧姆电极(107)。第一栅电极(109)与第三氮化物半导体(108)进行肖特基接触。 | ||
| 申请公布号 | CN102473647A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201080031046.X | 申请日期 | 2010.04.19 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 柴田大辅;柳原学;上本康裕 |
| 分类号 | H01L21/338(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/337(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/808(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/338(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体装置，具备：基板；半导体层层叠体，其包括在所述基板上依次形成的第一氮化物半导体层以及带隙比该第一半导体层大的第二氮化物半导体层；p型的第三氮化物半导体层，其选择性形成在所述半导体层层叠体上；第一栅电极，其形成在所述第三氮化物半导体层上；和第一欧姆电极及第二欧姆电极，分别形成在所述半导体层层叠体上的所述第三氮化物半导体层的两侧，所述第一栅电极与所述第三氮化物半导体进行肖特基接触。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||