发明名称 |
一种基于石墨烯/硅肖特基结的光伏电池及其制备方法 |
摘要 |
一种基于石墨烯/硅肖特基结的光伏电池及其制备方法,将钛钯银TiPdAg背电极、n型单晶硅片n-Si、环形的二氧化硅SiO2层和环形的金膜从下往上层叠式放置,金膜的内孔、二氧化硅SiO2层中间的通孔和n型单晶硅片n-Si的上表面形成台阶孔;采用直接转移、甩膜、喷涂、浸沾、过滤的方法将石墨烯或石墨烯的有机悬浊液平铺在台阶孔表面上,干燥后的石墨烯薄膜与基底电极上的n-Si紧密结合;石墨烯薄膜一端引出导线做为光伏电池的正极,钛钯银TiPdAg背电极4一端引出导线做为光伏电池的负极即可,本发明的光伏电池降低了硅的使用率,且组装工艺简单、成本低,适于规模化应用。 |
申请公布号 |
CN101771092B |
申请公布日期 |
2012.05.23 |
申请号 |
CN200910219530.4 |
申请日期 |
2009.12.16 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
李昕明;朱宏伟;王昆林;韦进全;李春艳;贾怡;李祯;李虓;吴德海 |
分类号 |
H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/042(2006.01)I |
代理机构 |
西安智大知识产权代理事务所 61215 |
代理人 |
贾玉健 |
主权项 |
一种基于石墨烯/硅肖特基结的光伏电池,其特征在于,包括钛钯银TiPdAg背电极(4),钛钯银TiPdAg背电极(4)上放置有n型单晶硅片n‑Si(3),n型单晶硅片n‑Si(3)上放置有二氧化硅SiO2层(2),二氧化硅SiO2层(2)中间开有通孔,二氧化硅SiO2层(2)上放置有环形的金膜(1),金膜(1)的内孔、SiO2层(2)中间的通孔和n型单晶硅片n‑Si(3)的上表面形成台阶孔,钛钯银TiPdAg背电极(4)一端引出导线,在台阶孔表面平铺有石墨烯薄膜(5),石墨烯薄膜(5)一端引出导线。 |
地址 |
100084 北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室 |