发明名称 铜铟镓硒硫五元靶材的制作方法
摘要 一种铜铟镓硒硫五元靶材的制作方法,包含铜铟镓硒硫化合物制作步骤、铜铟镓硒粉末制作步骤、靶材初胚制作步骤、烧结步骤以及整型步骤,主要是依照原子比例,将铜、铟、镓、硒、硫的元素粉末以合成溶剂混合,再反应合成为铜铟镓硒硫化合物,再制作为铜铟镓硒靶材,或将作为五元靶材先驱物混合步骤的三元或四元化合物粉末混合,经过高压烧结而完成,以本发明铜铟镓硒靶硫五元材制作铜铟镓硒薄膜,可省略硒化、硫化步骤,以确保制程安全性,且该靶材的导电度适用直流溅镀及射频溅镀,能提升溅镀效率、形成无污染、成分均匀的铜铟镓硒硫薄膜。
申请公布号 CN102463349A 申请公布日期 2012.05.23
申请号 CN201010542692.4 申请日期 2010.11.05
申请人 慧濠光电科技股份有限公司 发明人 钟润文
分类号 B22F3/16(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I 主分类号 B22F3/16(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 钟晶
主权项 一种铜铟镓硒硫五元靶材的制作方法,包含:铜铟镓硒硫化合物制作步骤,是将铜、铟、镓、硒、硫的元素粉体与合成溶剂混合,以水热法在高于200℃的反应温度合成为原子比例的铜铟镓硒硫化合物;铜铟镓硒硫粉末制作步骤,包含球磨步骤以及干燥造粒步骤,该球磨步骤是将该铜铟镓硒硫化合物放置于含有研磨球的容器中,并加入至少一添加剂,以湿式球磨方式,将该铜铟镓硒硫化合物研磨为铜铟镓硒硫浆料,该干燥造粒步骤是将该铜铟镓硒硫浆料置入喷雾干燥机,将铜铟镓硒硫浆料瞬间干燥为粒径小于5μm的铜铟镓硒硫粉末;靶材初胚制作步骤,包含成型步骤、强化步骤以及脱腊步骤,该成型步骤是将该铜铟镓硒硫粉末以成型机压制为胚体,该强化步骤是将该胚体加压,使该胚体实密化,该脱腊步骤是将实密化的该胚体装设真空炉中,以去除该等增添剂的一部分,而形成烧结前的初胚;烧结步骤,是将该初胚装设于高温炉中,在真空环境或无氧环境下烧结,以形成烧结胚体;以及整型步骤,是将该烧结胚体表面的突起去除,并黏结导电背板,而完成铜铟镓硒硫五元靶材,其中该原子比例是CuxIn1‑yGay(SzSe1‑z)2,0.5≤x≤2,0≤y≤0.5,0≤z≤0.3,且该铜铟镓硒硫化合物为粉体状,且粒径小于400nm。
地址 中国台湾桃园县