| 发明名称 | 压电体薄膜的制造方法以及经该制造方法所制造的压电体薄膜 | ||
| 摘要 | 本发明的具备含钪的氮化铝薄膜的压电体薄膜的制造方法包含在至少含有氮气的环境下用钪和铝进行溅射的溅射工序。在本发明的制造方法的溅射工序中，在基板温度为5℃～450℃的范围下，以使钪含有率处于0.5原子％～50原子％的范围内的形式，进行溅射。 | ||
| 申请公布号 | CN102474234A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201080028605.1 | 申请日期 | 2010.06.30 |
| 申请人 | 独立行政法人产业技术综合研究所;株式会社电装 | 发明人 | 秋山守人;加纳一彦;敕使河原明彦 |
| 分类号 | H03H3/02(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;H03H9/17(2006.01)I | 主分类号 | H03H3/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人 | 李冬梅;苏蕾 |
| 主权项 | 一种压电体薄膜的制造方法，所述压电体薄膜在其基板上具备含钪的氮化铝薄膜，该制造方法的特征在于：包含溅射工序：在至少含有氮气的环境下，用铝和钪进行溅射，使得在将钪原子数与所述氮化铝薄膜中的铝原子数的总量设为100原子％时的钪含有率，处于0.5原子％～50原子％的范围内；并且在所述溅射工序中，所述基板的温度处于5℃～450℃的范围内。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||