发明名称 光刻设备和湿度测量系统
摘要 本发明公开了一种光刻设备和例如用于光刻设备的湿度测量系统。湿度测量系统包括可调谐激光二极管,配置以发射测量辐射束,所述测量辐射束具有在一波长范围内的波长。所述波长范围包括与水分子的吸收峰相关的第一波长。信号处理单元连接至辐射探测器。信号处理单元配置以测量经受吸收的所述可调谐激光二极管的测量辐射束的强度。所述信号处理单元还被连接至所述可调谐激光二极管,用于获得波长信息。所述信号处理单元被布置以探测作为所述波长的函数的在测量强度中的极限值和由所探测的极限值计算湿度值。
申请公布号 CN101713732B 申请公布日期 2012.05.23
申请号 CN200910175167.0 申请日期 2009.09.25
申请人 ASML荷兰有限公司 发明人 L·范道仁;J·H·W·雅各布斯;W·A·琼格尔
分类号 G01N21/39(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I 主分类号 G01N21/39(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 王新华
主权项 一种湿度测量系统,包括:可调谐激光二极管,配置以发射测量辐射束,所述测量辐射束具有在一波长范围内的波长,所述波长范围包括与水分子的吸收峰相关的第一波长;和连接至辐射探测器的信号处理单元,所述辐射探测器被配置以测量经受吸收的所述可调谐激光二极管的测量辐射束的强度,并且所述信号处理单元被连接至所述可调谐激光二极管,用于获得波长信息,其中,所述信号处理单元被布置以探测作为所述波长的函数的在测量强度中的极限值和由所述探测的极限值计算湿度值,其中,在所述湿度测量系统用在光刻设备中时,所述湿度测量系统连接至光刻设备中的干涉计位置测量系统,所述干涉计位置测量系统被配置以接收来自所述湿度测量系统的用于校正目的的湿度数据。
地址 荷兰维德霍温