| 发明名称 | 一种具有沟槽的半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有沟槽的半导体结构的形成方法，包括如下步骤：(1)在硅衬底上依次生长第一外延层和介质膜，然后在该第一外延层刻蚀深沟槽；(2)利用选择性外延工艺在沟槽内填充第二外延层；该第二外延层的导电类型与第一外延层相反；(3)利用非选择性外延工艺生长第三外延层覆盖整个硅片表面；(4)用化学机械研磨进行表面平坦化，并停止在介质膜上；(5)去除介质膜，形成P型和N型交替排列的半导体结构。采用本发明方法能降低后续化学机械研磨的复杂度。 | ||
| 申请公布号 | CN102468133A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201010543843.8 | 申请日期 | 2010.11.15 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 缪燕;季伟 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王函 |
| 主权项 | 一种具有沟槽的半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅衬底上依次生长第一外延层和介质膜，然后在该第一外延层刻蚀深沟槽；(2)利用选择性外延工艺在沟槽内填充第二外延层；该第二外延层的导电类型与第一外延层相反；(3)利用非选择性外延工艺生长第三外延层覆盖整个硅片表面；(4)用化学机械研磨进行表面平坦化，并停止在介质膜上；(5)去除介质膜，形成P型和N型交替排列的半导体结构。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||