发明名称 |
一种提高电子束曝光效率的方法 |
摘要 |
一种提高电子束曝光效率的方法:1)在需要光刻的片子上涂敷一层正性光刻胶,进行前烘;2)图形数据分割,对大尺寸图形部分进行光学曝光,进行后烘;3)正性光刻胶显形;4)等离子体氟化;5)烘烤加固;6)涂电子束负胶,进行前烘;7)对精细图形部分进行电子束曝光;8)后烘;9)电子束负胶显形,完成光刻图形制备。本发明的方法可以节省至少30%~60%的曝光时间,大大提高了曝光效率,大幅度降低了成本,而且完全与CMOS工艺兼容,不增加专门的设备。 |
申请公布号 |
CN102466966A |
申请公布日期 |
2012.05.23 |
申请号 |
CN201010541030.5 |
申请日期 |
2010.11.10 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
徐秋霞;许高博 |
分类号 |
G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G03F7/38(2006.01)I;G03F7/40(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/00(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
周长兴 |
主权项 |
一种提高电子束曝光效率的方法,主要步骤如下:步骤1)在需要光刻的片子上涂敷一层正性光刻胶,进行前烘;步骤2)图形数据分割,对大尺寸图形部分进行光学曝光,进行后烘;步骤3)正性光刻胶显形;步骤4)等离子体氟化;步骤5)烘烤加固;步骤6)涂电子束负胶,进行前烘;步骤7)对精细图形部分进行电子束曝光;步骤8)后烘;步骤9)电子束负胶显形,完成光刻图形制备。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |