发明名称 一种提高电子束曝光效率的方法
摘要 一种提高电子束曝光效率的方法:1)在需要光刻的片子上涂敷一层正性光刻胶,进行前烘;2)图形数据分割,对大尺寸图形部分进行光学曝光,进行后烘;3)正性光刻胶显形;4)等离子体氟化;5)烘烤加固;6)涂电子束负胶,进行前烘;7)对精细图形部分进行电子束曝光;8)后烘;9)电子束负胶显形,完成光刻图形制备。本发明的方法可以节省至少30%~60%的曝光时间,大大提高了曝光效率,大幅度降低了成本,而且完全与CMOS工艺兼容,不增加专门的设备。
申请公布号 CN102466966A 申请公布日期 2012.05.23
申请号 CN201010541030.5 申请日期 2010.11.10
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 徐秋霞;许高博
分类号 G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G03F7/38(2006.01)I;G03F7/40(2006.01)I 主分类号 G03F7/00(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 周长兴
主权项 一种提高电子束曝光效率的方法,主要步骤如下:步骤1)在需要光刻的片子上涂敷一层正性光刻胶,进行前烘;步骤2)图形数据分割,对大尺寸图形部分进行光学曝光,进行后烘;步骤3)正性光刻胶显形;步骤4)等离子体氟化;步骤5)烘烤加固;步骤6)涂电子束负胶,进行前烘;步骤7)对精细图形部分进行电子束曝光;步骤8)后烘;步骤9)电子束负胶显形,完成光刻图形制备。
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