| 摘要 |
提供一种异质双极电晶体(heterobipolar trsnsistor(HBT))，供高速双极互补式金氧半导体(BiCMOS)应用，其中，藉由提供一埋设耐热金属矽化物层(buried refractory metal silicide layer)于元件之次集极(subcollector)的浅沟槽隔离区域(shallow trench isolation region)之下，而降低集极电阻(Rc)。特别是，本发明之HBT包含：具有至少一次集极的一基板；位于次集极上的一埋设耐热金属矽化物层；以及位于埋设耐热金属矽化物层之一表面上的一浅沟槽隔离区域。本发明亦提供制造此HBT的方法。此方法包含：形成一埋设耐热金属矽化物层于元件之次集极的浅沟槽隔离区域之下。 |
