发明名称 半导体元件及其制造方法
摘要 一种半导体元件的制造方法。首先,于基底的第一区上形成一第一电极。然后,于基底上形成介电层,介电层覆盖第一电极。接着,于第一区上的介电层中形成多个开口。然后,于基底上形成导电层,导电层覆盖介电层以及开口。而后,移除开口底部的导电层,以形成第二电极。继之,移除第二电极与第一电极之间的介电层。
申请公布号 TWI364817 申请公布日期 2012.05.21
申请号 TW097121256 申请日期 2008.06.06
申请人 联华电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 发明人 施惠绅
分类号 H01L21/8238;B81B7/02 主分类号 H01L21/8238
代理机构 代理人 戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3;吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号