发明名称 |
半导体元件及其制造方法 |
摘要 |
一种半导体元件的制造方法。首先,于基底的第一区上形成一第一电极。然后,于基底上形成介电层,介电层覆盖第一电极。接着,于第一区上的介电层中形成多个开口。然后,于基底上形成导电层,导电层覆盖介电层以及开口。而后,移除开口底部的导电层,以形成第二电极。继之,移除第二电极与第一电极之间的介电层。 |
申请公布号 |
TWI364817 |
申请公布日期 |
2012.05.21 |
申请号 |
TW097121256 |
申请日期 |
2008.06.06 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |
发明人 |
施惠绅 |
分类号 |
H01L21/8238;B81B7/02 |
主分类号 |
H01L21/8238 |
代理机构 |
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代理人 |
戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3;吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |