| 发明名称 |
Method of etching the contacts on a transistor to improve the power output therefor |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3386902(A) |
申请公布日期 |
1968.06.04 |
| 申请号 |
US19650438192 |
申请日期 |
1965.03.09 |
| 申请人 |
NORTH AMERICAN PHILIPS COMPANY, INC. |
发明人 |
LAUNAY RAYMOND |
| 分类号 |
C23F1/00;H01L21/00;H01L21/3063;H01L21/308 |
主分类号 |
C23F1/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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