一种肖特基二极管的制造方法

摘要

本发明公开了一种肖特基二极管的制造方法，通过高温扩散工艺，衬底层的杂质高温扩散进入外延层中，从而在衬底层和外延层界面形成杂质浓度连续降低的缓冲层。本发明肖特基二极管的制造方法制造的半导体器件，具有低的正向压降，对器件的电参数特性进行进一步优化。

主权项

一种肖特基二极管，衬底层为N传导类型硅半导体材料，衬底层之上为掺杂的N传导类型硅外延层，外延层之上为肖特基势垒层，肖特基势垒层边缘有P型材料保护环，其制造方法特征在于：包括如下步骤：1)在衬底层上通过外延生产形成外延层；2)进行初始氧化，在硅材料表面形成钝化层；3)进行高温扩散工艺；4)一次光刻腐蚀后，注入P型杂质退火；5)二次光刻腐蚀，淀积势垒金属，低温烧结；6)进行正面金属化工艺，上表面形成金属层；7)三次光刻腐蚀，反刻正面金属层；8)背面金属化工艺，下表面形成金属层。