半导体发光器件

摘要

本发明的发光器件具有放射偏振光的氮化物半导体发光元件(402)、和覆盖氮化物半导体发光元件(402)的光提取面并含有树脂和分散在树脂内的非荧光体粒子的光提取控制层(404)，光提取控制层(404)以0.01vol％以上10vol％以下的比例含有非荧光体粒子，非荧光体粒子的直径为30nm以上150nm以下。

主权项

一种发光器件，具备：氮化物半导体发光元件，其具有光提取面，并从所述光提取面放射偏振光；和光提取控制层，其覆盖所述氮化物半导体发光元件的所述光提取面，含有树脂和分散在所述树脂内的非荧光体粒子，所述光提取控制层以0.01vol％以上10vol％以下的比例含有所述非荧光体粒子，所述非荧光体粒子的直径为30nm以上150nm以下，在设m轴方向的发光强度为100％、m轴方向的角度为0度的情况下，以a轴为旋转轴的从‑90度到90度的配光分布特性和以c轴为旋转轴的从‑90度到90度的配光分布特性的相同角度下的发光强度差为26％点以下。