| 发明名称 | SOI晶片的制造方法及SOI晶片 | ||
| 摘要 | 本发明是一种SOI晶片的制造方法，是针对在基底晶片上已形成氧化膜与SOI层的SOI晶片的SOI层上，使磊晶层生长来增厚SOI层的SOI晶片的制造方法，其特征为：以使上述磊晶层生长的SOI晶片的磊晶生长开始时的加热光的波长域中的表面反射率，成为30％以上80％以下的方式，来进行磊晶生长。由此，提供一种SOI晶片的制造方法，针对在基底晶片上已形成氧化膜与SOI层的SOI晶片的SOI层上，使磊晶层生长来增厚SOI层的SOI晶片的制造方法，可制造出滑移位错等较少的高质量的SOI晶片。 | ||
| 申请公布号 | CN101371334B | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN200780002924.3 | 申请日期 | 2007.01.15 |
| 申请人 | 信越半导体股份有限公司 | 发明人 | 八木真一郎 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 高龙鑫 |
| 主权项 | 一种SOI晶片的制造方法，是针对在基底晶片上已形成氧化膜与SOI层的SOI晶片的SOI层上，使磊晶层生长增厚SOI层的SOI晶片的制造方法，其特征为：使用设置在上述SOI层侧的加热光源进行单面加热，由此，通过分别调节上述氧化膜的厚度与上述SOI层的厚度，以使上述磊晶层生长的SOI晶片的磊晶生长开始时的加热光的波长域中的表面反射率，成为30％以上80％以下的方式，来进行磊晶生长。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||