发明名称 硫化镉和碲化镉的混和溅射靶以及它们使用的方法
摘要 本发明名称为“硫化镉和碲化镉的混和溅射靶以及它们使用的方法”。一般地公开了混和靶(64),用于溅射硫化镉和碲化镉的混合层(19)。混和靶(64)可包括硫化镉和碲化镉。还提供了形成混和靶(64)的方法。例如,可从粉末状硫化镉和粉末状碲化镉形成粉末状混和物,并且将该混和物压入到混和靶(64)中。还一般地公开了用于制造具有混合层(19)的、基于碲化镉的薄膜光伏器件(10)的方法。例如,硫化镉和碲化镉的混和靶(64)可直接溅射在硫化镉层(18)上,以形成混合层(19),并且可在混合层(19)上形成碲化镉层(20)。
申请公布号 CN102453875A 申请公布日期 2012.05.16
申请号 CN201110355965.9 申请日期 2011.10.26
申请人 初星太阳能公司 发明人 S·D·费尔德曼-皮博迪
分类号 C23C14/34(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 柯广华;朱海煜
主权项 一种用于溅射硫化镉和碲化镉的混合层(19)的混和靶(64),所述混和靶(64)包括:硫化镉;以及碲化镉,其中,所述混和靶(64)配置成溅射以形成混合硫化镉和碲化镉的薄膜层(19)。
地址 美国科罗拉多州