发明名称 |
硫化镉和碲化镉的混和溅射靶以及它们使用的方法 |
摘要 |
本发明名称为“硫化镉和碲化镉的混和溅射靶以及它们使用的方法”。一般地公开了混和靶(64),用于溅射硫化镉和碲化镉的混合层(19)。混和靶(64)可包括硫化镉和碲化镉。还提供了形成混和靶(64)的方法。例如,可从粉末状硫化镉和粉末状碲化镉形成粉末状混和物,并且将该混和物压入到混和靶(64)中。还一般地公开了用于制造具有混合层(19)的、基于碲化镉的薄膜光伏器件(10)的方法。例如,硫化镉和碲化镉的混和靶(64)可直接溅射在硫化镉层(18)上,以形成混合层(19),并且可在混合层(19)上形成碲化镉层(20)。 |
申请公布号 |
CN102453875A |
申请公布日期 |
2012.05.16 |
申请号 |
CN201110355965.9 |
申请日期 |
2011.10.26 |
申请人 |
初星太阳能公司 |
发明人 |
S·D·费尔德曼-皮博迪 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
柯广华;朱海煜 |
主权项 |
一种用于溅射硫化镉和碲化镉的混合层(19)的混和靶(64),所述混和靶(64)包括:硫化镉;以及碲化镉,其中,所述混和靶(64)配置成溅射以形成混合硫化镉和碲化镉的薄膜层(19)。 |
地址 |
美国科罗拉多州 |