一种高散热LED芯片的制作方法

摘要

本发明提供一种高散热LED芯片的制作方法，该方法包括设置衬底，该衬底具有第一表面和与该第一表面相反的第二表面；对该衬底的第一表面形成一复合型反射层，此一复合型反射层是由具方向性(directional)反射层和无方向性(omi-directional)反射层所构成；在该衬底第一表面形成的复合型反射层上晶圆键合一散热性良好的基板；以及在该第二表面上形成出光结构，从该出光结构发射的光包括远离该衬底方向传播的光以及向着该衬底方向传播的光，向着该衬底方向传播的光至少部分地透过该衬底，并且透过衬底的光被该复合型反射层反射。本发明还提供由该方法制作的高散热LED芯片。

主权项

一种制作高散热LED芯片的方法，其特征在于，所述结构包括：设置衬底，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；在所述衬底的所述第一表面形成一复合型反射层，此一复合型反射层是由具方向性(directional)反射层和无方向性(omi‑directional)反射层所组成；在该衬底第一表面形成的复合型反射层上晶圆键合一散热性良好的基板；以及在所述第二表面上形成出光结构，其中从所述出光结构发射的光包括远离所述衬底方向传播的光以及向着所述衬底方向传播的光，向着所述衬底方向传播的光至少部分地透过所述衬底后被所述复合型反射层反射。