| 发明名称 | 存储器单元，存储器阵列以及形成它们的方法 | ||
| 摘要 | 从一些方面，提供了一种形成存储器单元的方法，该方法包括(1)在衬底上方形成第一导体；(2)在第一导体上方形成二极管；(3)利用选择性沉积工艺在第一导体上方形成可逆电阻切换元件；以及(4)在二极管和可逆电阻切换元件上方形成第二导体。还提供了许多其它方面。 | ||
| 申请公布号 | CN101720506B | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN200880022647.7 | 申请日期 | 2008.06.27 |
| 申请人 | 桑迪士克3D公司 | 发明人 | A·谢瑞克;S·B·赫纳;M·科内维奇 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 一种形成存储器单元的方法，该方法包括：在衬底上方形成控向元件；利用选择性沉积工艺形成耦连到所述控向元件的可逆电阻切换元件。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||