| 发明名称 | 一种降低光刻对准失效率的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种降低光刻对准失效率的方法，其中，于一包含光刻机粗对准标记的多层复合结构的预定层中加入冗余图形，且使靠近所述光刻机粗对准标记的所述冗余图形相互错开。本发明的有益效果是：在硅片光刻粗对准时，使冗余图形的信号与光刻对准标记有明显的区别，从而使其不能被光刻机误认为粗对准标记或干扰粗对准标记的信号，以降低光刻对准的失效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102445864A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201110322329.6 | 申请日期 | 2011.10.21 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 魏芳;阚欢 |
| 分类号 | G03F9/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种降低光刻对准失效率的方法，其特征在于，于一包含光刻机粗对准标记的多层复合结构的预定层中加入冗余图形，且使靠近所述光刻机粗对准标记的所述冗余图形相互错开。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||