准垂直功率MOSFET及其形成方法

摘要

MOSFET包括半导体衬底，具有：顶面；第一导电类型的体区，位于所述半导体衬底中；以及双扩散区DDD区，具有低于体区的底面的顶面。DDD区为第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。MOSFET进一步包括：栅极氧化物，和通过栅极氧化物与体区隔离开的栅电极。栅极氧化物的一部分和栅电极的一部分低于体区的顶面。

主权项

一种半导体器件，包括：金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET包括：半导体衬底，包括顶面；体区，具有第一导电类型，位于所述半导体衬底中；双扩散漏极DDD区，具有顶面，所述顶面低于所述体区的底面，其中，所述DDD区为第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；电介质区，形成为环以围绕并接触深导电塞，所述深导电塞延伸到所述半导体衬底中；栅电极，形成为环以围绕并接触所述电介质区，其中，所述DDD区的顶面低于所述栅电极的底端；栅极氧化物，形成为环以围绕并接触所述栅电极；以及所述栅电极，通过所述栅极氧化物与所述体区间隔开，其中，所述栅极氧化物的一部分和所述栅电极的一部分位于所述体区的所述顶面的下方。