发明名称 PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR DU TYPE ENCAPSULE DANS UNE RESINE ET SYSTEME DE MATRICES POUR CE PROCEDE
摘要 <P>Une saillie (16) pour former une portion creuse est réalisée sur une matrice supérieure (11), afin de constituer une portion creuse dans un bloc de résine après une opération de moulage, une saillie (16) pour former une portion creuse est réalisée sur une matrice supérieure (11). Une face frontale (16a) de la saillie (16) est traitée pour conférer à sa surface le brillant d'un miroir (surface plate lisse). Des portions évidées (17) sont formées sur la face frontale (16a) des saillies (16). La position des portions évidées (17) correspond à des régions de fixation de fils métalliques de la grille de connexions (1). La grille de connexions (1) est serrée entre une matrice supérieure (11) et une matrice inférieure (12). Une résine pour moulage (20) est injectée dans un espace entre les matrices supérieure et inférieure (11, 12). Dans ces conditions, on obtient une face d'une excellente qualité pour la fixation de fils métalliques, dans les régions de la grille de connexions, correspondant aux portions évidées (17).</P>
申请公布号 FR2755539(A1) 申请公布日期 1998.05.07
申请号 FR19970012718 申请日期 1997.10.10
申请人 DENSO CORPORATION 发明人 KINOUCHI KAN;KATO YUKIHIRO;NOMURA HIROSHI;KURODA MICHITAKE
分类号 B29C45/26;B29C45/14;B29K105/20;B29L31/34;H01L21/56;H01L23/31 主分类号 B29C45/26
代理机构 代理人
主权项
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