| 发明名称 | 具有由划片槽限定的薄片的半导体结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了具有由划片槽限定的薄片的半导体结构。一种用于制造半导体结构的方法包括：在衬底中蚀刻第一开口；在所述衬底中蚀刻芯片划片槽以限定在所述第一开口和所述芯片划片槽之间的薄片；制造用于感测所述薄片的偏转的感测元件；以及在所述芯片划片槽处对所述半导体结构进行划片。 | ||
| 申请公布号 | CN102442636A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201110372606.4 | 申请日期 | 2011.09.30 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | T·考奇 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I;G01L9/12(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马永利;王忠忠 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体结构的方法，所述方法包括：在衬底中蚀刻第一开口；在所述衬底中蚀刻芯片划片槽以限定在所述第一开口和所述芯片划片槽之间的薄片；制造用于感测所述薄片的偏转的感测元件；以及在所述芯片划片槽处对所述半导体结构进行划片。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 | ||