高亮度发光二极管芯片的制造方法

摘要

本发明公开了一种高亮度发光二极管芯片的制造方法，包括：第一步，在衬底上制备半导体外延层，至少包括N型氮化物半导体层、有源层及P型氮化物半导体层；第二步，局部刻蚀，使部分N型氮化物半导体层露出，露出部分为N型环岛阻挡层、预留N电极蒸镀位置及预留阻挡层位置，并形成N型环岛阻挡层低于预留N电极蒸镀位置一定的高度差，该预留阻挡层位置位于P电极蒸镀位置且比P电极稍宽；第三步，在预留阻挡层位置沉积阻挡层；第四步，在P型氮化物半导体层上形成透明导电层；第五步，在N型和P型氮化物半导体层上分别蒸镀N电极和P电极；第六步，在芯片表面沉积保护膜。本发明能解决电流扩散问题及提升芯片的抗静电能力。

主权项

一种高亮度发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，在不导电的衬底上制备半导体外延层，至少包括N型氮化物半导体层、位于N型氮化物半导体层上的有源层、以及位于有源层上的P型氮化物半导体层；第二步，利用光刻及刻蚀技术进行局部刻蚀，使部分N型氮化物半导体层露出，露出部分为N型环岛阻挡层、预留N电极蒸镀位置及预留阻挡层位置，并形成N型环岛阻挡层低于预留N电极蒸镀位置一定的高度差，该预留阻挡层位置位于P电极蒸镀位置且比P电极稍宽；第三步，利用等离子体化学气相沉积技术在预留阻挡层位置沉积阻挡层；第四步，利用镀膜技术在P型氮化物半导体层上蒸镀一层透明导电层，并同时在露出部分N型氮化物半导体层上增加N电极引申线，所述N电极引申线为透明导电层N电极引申线，所述露出部分N型氮化物半导体层为预留N电极蒸镀位置；第五步，利用光刻及蒸镀技术在N型氮化物半导体层和P型氮化物半导体层上分别蒸镀N电极和P电极，并同时在露出部分N型氮化物半导体层上增加N电极引申线，所述N电极引申线为金属导电层N电极引申线，所述露出部分N型氮化物半导体层为预留N电极蒸镀位置；第六步，利用等离子体化学气相沉积技术在芯片表面沉积保护膜，仅露出N电极及P电极的焊点部分。