| 发明名称 | CMP研磨液和研磨方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种CMP研磨液，所述研磨液含有介质和分散在所述介质中作为磨粒的二氧化硅粒子，其中，(A1)所述二氧化硅粒子的硅烷醇基密度为5.0个/nm2以下，(B1)从利用扫描型电子显微镜观察所述二氧化硅粒子的图像中选择任意的20个粒子时的二轴平均一次粒径为25～55nm，(C1)所述二氧化硅粒子的缔合度为1.1以上。由此，可提供阻挡膜的研磨速度高、并且磨粒的分散稳定性良好、能够高速研磨层间绝缘膜的CMP研磨液，以及提供微细化、薄膜化、尺寸精度、电特性优异、可靠性高且低成本的半导体基板等的制造中的研磨方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102449747A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201080022988.1 | 申请日期 | 2010.08.16 |
| 申请人 | 日立化成工业株式会社 | 发明人 | 金丸真美子;岛田友和;筱田隆 |
| 分类号 | H01L21/32(2006.01)I;C09K3/14(2006.01)I;C09G1/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种CMP研磨液，其含有介质和分散在所述介质中作为磨粒的二氧化硅粒子，其中，(A1)所述二氧化硅粒子的硅烷醇基密度为5.0个/nm2以下，(B1)从利用扫描型电子显微镜观察所述二氧化硅粒子的图像中选择任意的20个粒子时的二轴平均一次粒径为25～55nm，(C1)所述二氧化硅粒子的缔合度为1.1以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||