| 发明名称 | 一种圆片级封装方法 | ||
| 摘要 | 一种圆片级封装方法，包括：在芯片的焊盘和钝化层上依次形成耐热金属层和金属浸润层；在金属浸润层上形成光刻胶，所述光刻胶设有开口曝露出芯片焊盘上方的金属浸润层；在上述开口中的金属浸润层上形成连接层；去除光刻胶；蚀刻钝化层上的耐热金属层和金属浸润层至钝化层裸露；在芯片上形成保护胶层，所述保护胶将连接层覆盖；曝光连接层上方的保护胶形成开口，裸露出连接层的上表面；在连接层上形成焊料凸点并回流。本发明提高了圆片级封装的电性能和可靠性，适用于焊盘密间距、输出功能多的圆片级封装。 | ||
| 申请公布号 | CN102446780A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201110428861.6 | 申请日期 | 2011.12.19 |
| 申请人 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 发明人 | 陶玉娟;石磊 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人 | 雷志刚;潘士霖 |
| 主权项 | 一种圆片级封装方法，其特征在于，包括步骤：在芯片的焊盘和钝化层上依次形成耐热金属层和金属浸润层；在金属浸润层上形成光刻胶，所述光刻胶设有开口曝露出芯片焊盘上方的金属浸润层；在上述开口中的金属浸润层上形成连接层；去除光刻胶；蚀刻钝化层上的耐热金属层和金属浸润层至钝化层裸露；在芯片上形成保护胶层，所述保护胶将连接层覆盖；曝光连接层上方的保护胶形成开口，裸露出连接层的上表面；在连接层上形成焊料凸点并回流。 | ||
| 地址 | 226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号 | ||