发明名称 | 在成像器中形成光侦测器隔离的方法 | ||
摘要 | 第一浅渠沟隔离区横向地邻近于光侦测器而安置于硅半导体层中,同时第二浅渠沟隔离区横向地邻近于像素中的其它电组件而安置于该硅半导体层中。该第一浅渠沟隔离区及该第二浅渠沟隔离区各自包括安置于该硅半导体层中的用介电材料填充的渠沟。具有第二导电性的隔离层仅沿着渠沟的紧邻于光侦测器的底部部分且仅沿着渠沟的紧邻于光侦测器的侧壁安置。该隔离层不沿着邻近光侦测器的该渠沟的底部的其它部分及邻近光侦测器的该渠沟的另一侧壁安置。该隔离层不沿着邻近于其它电组件的渠沟的底部及侧壁安置。 | ||
申请公布号 | CN102446942A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
申请号 | CN201110308256.5 | 申请日期 | 2011.09.29 |
申请人 | 美商豪威科技股份有限公司 | 发明人 | H·Q·多恩;E·G·史蒂文斯;R·M·盖达施 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 徐伟 |
主权项 | 一种用于在具有第一导电类型的层中形成紧邻于光侦测器的浅渠沟隔离区的方法,其中所述光侦测器包括安置于所述具有第一导电类型的层中的具有第二导电类型的储存区,所述方法包含:在所述具有第一导电类型的层中形成渠沟;仅部分地沿着所述渠沟的底部且仅沿着所述渠沟的紧邻于随后将形成所述光侦测器的所述储存区之处的一侧壁将具有所述第一导电类型的掺杂剂植入至所述具有第一导电类型的层中;及用介电材料填充所述渠沟。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |