发明名称 半导体器件及其制造方法
摘要 本发明的目的在于提供一种发光元件的结构,其向上面的发光效率优越。本发明采用沿着与衬底表面平行的方向夹着发光层地排列两个电极的结构。在发光层的下方不配置电极。因此,也可在发光层的下方设置反射膜,来提高向上面的发光效率。例如,可以设置折射率比发光层低的膜,通过在折射率不同的叠层的界面反射发光层向下方的发光,来提高向上方的发光效率。此外,也可以在发光层的下方配置反射率高的金属膜(具有固定电位或处于浮动状态的反射金属膜)。
申请公布号 CN101017871B 申请公布日期 2012.05.02
申请号 CN200710005122.X 申请日期 2007.02.09
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 本田达也
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 张雪梅;刘宗杰
主权项 一种半导体器件,包括:相离地排列且与绝缘表面直接接触的第一电极及第二电极;覆盖所述第一电极及所述第二电极的绝缘膜;以及在所述绝缘膜上的含有无机材料的发光层,其中,所述发光层形成在所述第一电极的侧面和所述第二电极的与所述第一电极的所述侧面相对的侧面之间。
地址 日本神奈川县厚木市