| 发明名称 | 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管，包括衬底，在衬底上形成有栅电极，在衬底和栅电极上形成有栅绝缘层，在栅绝缘层上对应于栅电极的部分形成有沟道层，在沟道层和栅绝缘层上面覆盖有保护层，在保护层的刻蚀孔和沟道层上形成有源电极和漏电极，所述保护层分为第一保护层和第二保护层两层，第一保护层覆盖在沟道层和栅绝缘层上面，第二保护层覆盖在第一保护层上面，第二保护层的硬度和致密性大于第一保护层。本发明还公开了一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法。本发明的技术方案，能使金属氧化物薄膜晶体管电学特性比较稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN102437194A | 申请公布日期 | 2012.05.02 |
| 申请号 | CN201110374972.3 | 申请日期 | 2011.11.22 |
| 申请人 | 上海中科高等研究院 | 发明人 | 张其国;汪梅林;韩学斌;朱棋锋;申剑锋 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王江富 |
| 主权项 | 一种金属氧化物薄膜晶体管，包括衬底，在衬底上形成有栅电极，在衬底和栅电极上形成有栅绝缘层，在栅绝缘层上对应于栅电极的部分形成有沟道层，在沟道层和栅绝缘层上面覆盖有保护层，在保护层的刻蚀孔和沟道层上形成有源电极和漏电极，其特征在于，所述保护层分为第一保护层和第二保护层两层，第一保护层覆盖在沟道层和栅绝缘层上面，第二保护层覆盖在第一保护层上面，第二保护层的硬度和致密性大于第一保护层。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区海科路99号 | ||