| 发明名称 |
积体电路元件之重工方法 |
| 摘要 |
一种积体电路元件之重工方法，包含有提供一具有一第一底层与一第一介电层之基底，进行一第一乾蚀刻制程以移除该第一介电层、进行一化学机械研磨制程移除该第一底层，以及于该基底上依序重新形成一第二底层与一第二介电层。当积体电路元件之膜层检测出缺陷或未达标准时，系可藉由本重工方法快速而有效地去除必须重新制作的膜层。 |
| 申请公布号 |
TWI363399 |
申请公布日期 |
2012.05.01 |
| 申请号 |
TW096141168 |
申请日期 |
2007.11.01 |
| 申请人 |
联华电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |
发明人 |
刘晏宏;郭永杰;邹议汉;王镇和;陈政伟;吕信谊 |
| 分类号 |
H01L21/768;H01L21/00 |
主分类号 |
H01L21/768 |
| 代理机构 |
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代理人 |
戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3;吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |
