半导体装置及半导体装置之制造方法

摘要

本发明系提供一种可根据电场集中的缓和而防止元件破坏，并且也可以防止增益降低的半导体装置。;具备：形成在半导体层12上的源极电极21；形成在半导体层12上的汲极电极23；形成在源极电极21及汲极电极23之间的闸极电极22；形成在半导体层12及闸极电极22之上的绝缘膜24；形成在绝缘膜24上的场板电极25；以及连接场板电极25及源极电极21的电阻体26。