Leistungssteigerung in PFET-Transistoren mit einem Metallgatestapel mit großemεdurch Verbessern des Dotierstoffeinschlusses

摘要

Verfahren mit: Einführen einer diffusionsblockierenden Sorte in ein Halbleitergebiet eines p-Kanaltransistors; Bilden eines schwellwerteinstellenden Halbleitermaterials auf dem Halbleitergebiet, wobei das Halbleitergebiet die Diffusionsblockiersorte aufweist; Bilden einer Gateelektrodenstruktur auf dem schwellwerteinstellenden Halbleitermaterial, wobei die Gateelektrodenstruktur ein Gatedielektrikumsmaterial aufweist, das ein Elektrodenmaterial der Gateelektrodenstruktur von einem Kanalgebiet in dem schwellwerteinstellenden Halbleitermaterial trennt; Einführen von Dotiermitteln für Drain- und Sourceerweiterungsgebiete und Drain- und Sourcegebiete; und Ausheizen des p-Kanaltransistors unter Anwendung der Diffusionsblockiersorte zum Unterdrücken einer Dotierstoffdiffusion unter das Kanalgebiet.