| 发明名称 |
一种减少污染与微尘的处理方法 |
| 摘要 |
本发明公开了一种减少污染与微尘的处理方法，属于电子技术领域，具体步骤是：(1)将硅晶片移至蚀刻槽中；(2)将硅晶片移至清洗槽中，利用氢氧化铵进行硅晶片的清洁；(3)移走位于硅晶片承载元件上的硅晶片；(4)将硅晶片承载元件移入清洗槽中，利用过氧化轻的水溶液进行硅晶片承载元件的清洁；有益效果是可有效减低造成硅晶片伤害的微粒与缺陷，并延长机台清洁保养的时间间隔，提高产品的效率与质量。 |
| 申请公布号 |
CN102427022A |
申请公布日期 |
2012.04.25 |
| 申请号 |
CN201110355042.3 |
申请日期 |
2011.11.10 |
| 申请人 |
孙统利 |
发明人 |
孙统利 |
| 分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;B08B11/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种减少污染与微尘的处理方法，在硅晶片进行蚀刻与清洗后，再加入一道硅晶片承载元件的清洗步骤，以减低硅晶片上的微粒与缺陷，并延长机台清洁保养的时间间隔，其特征在于所述的处理方法具体步骤是：(1)将硅晶片移至蚀刻槽中；(2)将硅晶片移至清洗槽中，利用氢氧化铵进行硅晶片的清洁；(3)移走位于硅晶片承载元件上的硅晶片；(4)将硅晶片承载元件移入清洗槽中，利用过氧化轻的水溶液进行硅晶片承载元件的清洁。 |
| 地址 |
221000 江苏省徐州市铜山区第三工业园黄河路2号 |
