一种改善半导体自动对准镍硅化物热稳定性的工艺方法

摘要

本发明公开一种改善半导体自动对准镍硅化物热稳定性的工艺方法，首先对硅片进行清洁，通过湿式或干式刻蚀去除硅片衬底的氧化物；接着对硅片的表面进行预处理，将硅片送入至密闭的腔体中，通入含氟气体，利用吸附和扩散原理在硅片衬底表面附着气体中氟元素；然后在所述硅片表面添加一金属层，并对所述金属层进行高温热退火处理，形成接触硅衬底中有源区的自对准金属硅化物，再湿法刻蚀掉多余的金属阻挡层，之后再进行第二次高温热退火。使用本发明能够改善镍硅化物形成过程中镍扩散的无序性，可以抑止镍在初始阶段向硅的急速扩散，并固定已经渗入硅基材的镍。同时，可以降低NiSi/Si介面的粗糙度，从而降低NiSi的漏电流以及避免电阻升高。

主权项

一种改善半导体自动对准镍硅化物热稳定性的工艺方法，包括硅片，其特征在于，首先对所述硅片进行清洁去除所述硅片衬底的氧化物；接着，对所述硅片的表面进行预处理，将所述硅片送入至密闭的腔体中，通入含氟气体，利用吸附和扩散原理在所述硅片衬底表面附着高浓度的氟元素；然后，在所述硅片表面添加一金属层，并对所述金属层进行高温热退火处理，以形成接触硅衬底中有源区的自对准金属硅化物，再湿法刻蚀掉多余的金属阻挡层，之后再进行第二次高温热退火使得所述硅片形成镍硅化物。