| 摘要 |
Es wird eine Halbleitervorrichtung angegeben, welche Folgendes aufweist: eine Wärmeableitungsrippe (13, 14); eine Isolationsschicht (4), die an die obere Oberfläche der Wärmeableitungsrippe (13, 14) gebunden ist, wobei ein Teil der oberen Oberfläche freiliegt; einen Wärmeverteiler (2), der auf der Isolationsschicht (4) gelegen ist; ein Leistungselement (1), welches auf dem Wärmeverteiler (2) gelegen ist; und ein Transfergießharz (8), welches so gelegen ist, dass es eine vorgegebene Oberfläche bedeckt, welche den Teil der oberen Oberfläche der Wärmeableitungsrippe (13, 14), die Isolationsschicht (4), den Wärmeverteiler (2) und das Leistungselement (1) umfasst, wobei die obere Oberfläche der Wärmeableitungsrippe (13, 14) eine Vorsprungsform und/oder eine Vertiefungsform aufweist, die so gelegen ist, dass sie eine Kante der Isolationsschicht (4) einbindet. |
