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Verfahren zum Herstellen eines siliziumbasierten Metalloxidhalbleiterbauelements, umfassend: Implantieren eines ersten Dotierstoffs in eine erste teilweise Fertigstellung des Bauelements, wobei der erste Dotierstoff eine erste rauschen-reduzierende Spezies umfasst, und Implantieren eines zweiten Dotierstoffs in eine zweite teilweise Fertigstellung des Bauelements, wobei der zweite Dotierstoff eine zweite rauschen-reduzierende Spezies umfasst, wobei der erste Dotierstoff und der zweite Dotierstoff von entgegengesetzten Leitfähigkeitstypen sind.
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